QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：59/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文 journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF 收藏  |  浏览/下载：92/3  |  提交时间：2010/03/08 Heterostructure  Nanostructure  Porous Si  Porous SiGe  Photoluminescence   Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen); Wang YT (Wang Yu-Tian) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/04/11 InP  Si  X-ray double crystalline diffraction  thermal strain  wafer bonding  OPTOELECTRONIC DEVICES  EPITAXIAL OVERGROWTHS  TEMPERATURE  INTERFACE  STRESSES  VCSELS  SURFACES  ENERGY   Recent progresses of SOI-based photonic devices - art. no. 60201R 会议论文 conference on optoelectronic materials and devices for optical communications, shanghai, peoples r china, nov 07-10, 2005 作者:  Li YT;  Li ZY 收藏  |  浏览/下载：116/19  |  提交时间：2010/03/29 SOI   A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Yu JZ; Chen BW; Yu Z; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 GaP/Si heterostructure  GS-MBE  lattice match  X-ray double crystal diffraction  photoluminescence (PL)