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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Narrow line-width resonant cavity enhanced photodetectors operating at 1.55 mu m 期刊论文 optics communications, 2008, 卷号: 281, 期号: 6, 页码: 1582-1587 Mao, RW; Tsai, CS; Yu, JZ; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：39/1  |  提交时间：2010/03/08 resonant cavity enhanced (RCE)  photodetector  line-width  free carrier absorption   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Investigations on V-defects in quaternary AlInGaN epilayers 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 26, 页码: 5449-5451 作者:  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：396/176  |  提交时间：2010/03/09 MULTIPLE-QUANTUM WELLS   New method for the growth of highly uniform quantum dots 期刊论文 microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY