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GaN基激光器的研制及器件物理 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
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收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/06/01
Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 041211
Xiang Li; Zongshun Liu; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Jianjun Zhu; Jing Yang; Lingcong Le; Wei Liu; Xiaoguang He; Xiaojing Li; Feng Liang
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/10
Time delay in InGaN multiple quantum well laser diodes at room temperature 期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: article no.124211
作者:  Wang H;  Yang H;  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2011/07/05
The junction temperature and forward voltage relationship of GaN-based laser diode 期刊论文
laser physics, 2009, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 400-402
Liu YT; Cao Q; Song GF; Chen LH
收藏  |  浏览/下载：310/64  |  提交时间：2010/03/08
n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 1815-1817
作者:  陈良惠;  渠红伟;  曹玉莲
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
Electro-Optical Effect Measurement of Thin-Film Material Using PM Fiber Mach-Zehnder Interferometer 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 1012-1016
作者:  Zhao Lei;  Chen Shaowu;  Zuo Yuhua;  Chen Ping
收藏  |  浏览/下载：124/19  |  提交时间：2010/11/23
Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation 期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.076112
Liu WB (Liu Wenbao); Sun X (Sun Xian); Zhang S (Zhang Shuang); Chen J (Chen Jun); Wang H (Wang Hui); Wang XL (Wang Xiaolan); Zhao DG (Zhao Degang); Yang H (Yang Hui)
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/29
Study on Raman spectra of GaMnAs 期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 207-212
Ma BS; Wang WJ; Su FH; Den JJ; Jiang CP; Liu HL; Ding K; Zhao JH; Li GH
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11
High-power AlGaInP laser diodes with current-injection-free region near the laser facet 期刊论文
optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: art.no.034205
Xu Y; Li YZ; Gan QQ; Cao Q; Song GF; Guo L; Chen LH
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/11
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 会议论文
11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15

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