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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [1]
1995 [1]
学科主题
光电子学 [2]
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学科主题:光电子学
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Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM STUDY OF THE GAAS/SI EPILAYER GROWN BY USING A THIN AMORPHOUS SI FILM AS BUFFER LAYER
期刊论文
japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 7b, 页码: l900-l902
HAO MS
;
LIANG JW
;
ZHENG LX
;
DENG LS
;
XIAO ZB
;
HU XW
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/17
GAAS/SI
PHOTOLUMINESCENCE
AMORPHOUS SI
SIMS
HALL MEASUREMENT
DOUBLE CRYSTAL X-RAY
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ON-SI
MOCVD
TEMPERATURE
MECHANISM
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