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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2004 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:65/3
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提交时间:2011/07/05
Semiconductors
Raman scattering
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN FREQUENCIES
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
SILICON
SCATTERING
GROWTH
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:110/2
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提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2060-2063
Liu, JP
;
Jin, RQ
;
Zhang, JC
;
Wang, JF
;
Wu, M
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:69/23
  |  
提交时间:2010/03/09
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