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快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
温娟娟
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/06/01
Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth 期刊论文
thin solid films, 2015, 卷号: 586, 页码: 54-57
J.J.Wen; Z. Liu; T.W. Zhou; C.L. Xue; Y.H. Zuo; C.B. Li; Q.M. Wang; B.W. Cheng
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2016/03/22
Sixteen-element Ge-on-SOI PIN photo-detector arrays for parallel optical interconnects 期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 038507
Li, C; Xue, CL; Liu, Z; Cheng, BW; Wang, QM
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/04/02
Enhanced light emission from Ge quantum dots in photonic crystal ring resonator 期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 12248-12254
Zhang, Y; Zeng, C; Li, DP; Zhao, XJ; Gao, G; Yu, JZ; Xia, JS
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/03/25
Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate 期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 19, 页码: 191111
Liu, Z; Li, YM; He, C; Li, CB; Xue, CL; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/04/02
Sub-400 degrees C Si2H6 Passivation, HfO2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In0.7Ga0.3As and Ge1-xSnx CMOS 期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2013, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 1640-1648
Gong, Xiao; Han, Genquan; Liu, Bin; Wang, Lanxiang; Wang, Wei; Yang, Yue; Kong, Eugene Yu-Jin; Su, Shaojian; Xue, Chunlai); Cheng, Buwen; Yeo, Yee-Chia
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/08/27
Growth of Ge1-xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy 期刊论文
superlattices and microstructures, 2013, 卷号: 64, 页码: 543
Su, SJ; Zhang, DL; Zhang, GZ; Xue, CL; Cheng, BW
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/04/04
Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth 期刊论文
ecs solid state lett., 2013, 卷号: 2, 期号: 9, 页码: 73-75
J. J. Wen, Z. Liu, L. L. Li, C. Li, C. L. Xue, Y. H. Zuo, C. B. Li, Q. M. Wang and B. W. Chengz
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/04
Ohmic contact to n-type Ge with compositional Ti nitride 期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 284, 页码: 877-880
H D Wu, W Huang, W F Lu, R F Tang, C Li, H K Lai, S Y Chen, and C L Xue
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/05/08
Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells 期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 23, 页码: 231108
Liu Z (Liu, Zhi); Hu WX (Hu, Weixuan); Li C (Li, Chong); Li YM (Li, Yaming); Xue CL (Xue, Chunlai); Li CB (Li, Chuanbo); Zuo YH (Zuo, Yuhua); Cheng BW (Cheng, Buwen); Wang QM (Wang, Qiming)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/03/20

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