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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [8]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [1]
2002 [1]
2000 [1]
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学科主题
光电子学 [10]
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学科主题:光电子学
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Modification of two-photon excited fluorescence from quantum dots on SiN photonic crystals
期刊论文
optics letters, 2010, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 309-311
Xu XS (Xu Xingsheng)
;
Yamada T (Yamada Toshiki)
;
Yokoyama S (Yokoyama Shiyoshi)
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/04/13
STIMULATED-EMISSION
LIGHT EXTRACTION
WAVE-GUIDES
ENHANCEMENT
Phosphor-conversion white light using InGaN ultraviolet laser diode
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 2, 页码: art. no. 021129
Xu Y
;
Chen LH
;
Li YZ
;
Song GF
;
Wang YP
;
Zhuang WD
;
Long Z
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浏览/下载:45/1
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提交时间:2010/03/08
EMITTING-DIODES
Calculation of energy levels in InGaAs/GaAs quantum dot array
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5429-5435
Xiao-Jie, Y (Yang Xiao-Jie)
;
Qing, W (Wang Qing)
;
Wen-Quan, M (Ma Wen-Quan)
;
Liang-Hui, C (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/29
InGaAs
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
Analysis of mode characteristics for deformed square resonators by FDTD technique
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2006, 卷号: 42, 期号: 1-2, 页码: 59-63
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:530/11
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提交时间:2010/04/11
finite-difference time-domain (FDTD) methods
optical resonators
modeling
MICROCAVITIES
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
SI-GE ALLOYS
GROWTH
LAYERS
Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180
Wang XD
;
Wang H
;
Wang HL
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
low temperature GaAs
As precipitates
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DEPENDENCE
Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching
会议论文
spie conference on photonics technology into the 21st century - semiconductors, microstructures, and nanostructures, singapore, singapore, dec 01-03, 1999
作者:
Liu J
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/10/29
GaAs/AlGaAs
quantum dot array
etching method
photoluminescence
WIRES
Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18
Zhu ZM
;
Liu NZ
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Wang SZ
;
He L
;
Ji RB
;
Wu Y
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
ZnSe : N
photoluminescence
hound exciton
P-TYPE ZNSE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASER-DIODES
LUMINESCENCE
ACCEPTORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
The effect of dopant Si on the uniformity of self-organized InAs quantum dots
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 423-426
Wang HL
;
Zhu HJ
;
Li Q
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
;
Deng YM
;
Feng SL
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
self-organized quantum dots
PL
Si-doping
InAs/GaAs
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