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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation of high reflective Ni/Ag/Ti/Au contact on p-GaN 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2420-2423 Jiang F (Jiang Fang); Cai LE (Cai Li-E); Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Zhang BP (Zhang Bao-Ping) 收藏  |  浏览/下载：140/2  |  提交时间：2010/09/07 High reflective  p-GaN  AES  Optimal conditions   An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298 Jahn U (Jahn Uwe); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Ploog KH (Ploog Klaus H.); Wang XL (Wang Xiaolan); Zhao DG (Zha0 Degang); Yang H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106 作者:  Li XY;  Jiang DS;  Yang H;  Zhu JJ;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers 期刊论文 physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891 Jiang, DS (Jiang, De-Sheng); Zhao, DG (Zhao, De-Gang); Yang, H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION