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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [5]
发表日期
2010 [2]
2007 [3]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
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Formation of high reflective Ni/Ag/Ti/Au contact on p-GaN
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2420-2423
Jiang F (Jiang Fang)
;
Cai LE (Cai Li-E)
;
Zhang JY (Zhang Jiang-Yong)
;
Zhang BP (Zhang Bao-Ping)
收藏
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浏览/下载:138/2
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提交时间:2010/09/07
High reflective
p-GaN
AES
Optimal conditions
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:147/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298
Jahn U (Jahn Uwe)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Ploog KH (Ploog Klaus H.)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zha0 Degang)
;
Yang H (Yang, Hui)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers
期刊论文
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
Jiang, DS (Jiang, De-Sheng)
;
Zhao, DG (Zhao, De-Gang)
;
Yang, H (Yang, Hui)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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