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科研机构
半导体研究所 [3]
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专利 [1]
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/03/09
AlGaN
GaN template
A1N interlayer
MOCVD
crack
interference fringes
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:83/0
  |  
提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
基于光纤布拉格光栅阵列的铁路钢轨横向裂纹监测方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
张文涛
;
许红彬
;
杜彦良
;
李芳
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/09/12
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