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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
作者:  杨少延
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低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析 期刊论文
半导体学报, 1993, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 345
陈德勇; 朱龙德; 李晶; 熊飞克; 徐俊英; 万寿科; 梁骏吾
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2010/11/23


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