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半导体研究所 [16]
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AlInAsSb高倍增低暗电流雪崩光电二极管
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
吕粤希
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2018/06/01
分子束外延
Alinassb
数字合金
雪崩光电二极管
Si基GeSn合金的外延生长及光电器件的制备
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
丛慧
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/06/05
硅基光电子学
GeSn合金
短波红外探测器
石墨烯
Ge1-xSnx合金的外延生长与器件应用
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
苏少坚
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/06/18
GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离
期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 17, 页码: 176104-1-176104-5
苏少坚,成步文,薛春来,张东亮,张广泽,王启明
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浏览/下载:107/0
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提交时间:2013/05/29
Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 028101-1-028101-5
作者:
苏少坚
;
汪巍
;
张广泽
;
左玉华
;
薛春来
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2011/08/16
外延生长Gel-xSnx合金的研究进展
期刊论文
材料导报, 2010, 卷号: 24, 期号: 11上, 页码: 90-93,117
作者:
左玉华
;
汪巍
;
胡炜玄
;
张广泽
;
成步文
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2011/08/16
衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1955-1960
作者:
成步文
;
薛春来
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4350-4353
作者:
成步文
;
薛春来
;
左玉华
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 193-197
作者:
江德生
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
作者:
王玉田
;
赵德刚
;
张书明
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
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