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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [11]
会议论文 [1]
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学科主题
光电子学 [12]
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学科主题:光电子学
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Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
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浏览/下载:98/7
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提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:75/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Role of Bi3+ ions for Er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in Er/Bi codoped SiO2 thin film prepared by sol-gel method
期刊论文
journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763
Zheng J (Zheng J.)
;
Zuo YH (Zuo Y. H.)
;
Zhang LZ (Zhang L. Z.)
;
Wang W (Wang W.)
;
Xue CL (Xue C. L.)
;
Cheng BW (Cheng B. W.)
;
Yu JZ (Yu J. Z.)
;
Guo HQ (Guo H. Q.)
;
Wang QM (Wang Q. M.)
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浏览/下载:106/4
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提交时间:2010/09/07
Photoluminescence
Energy transfer
Erbium
Bismuth
Structural characterization of mn implanted AlInN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: art. no. 115404
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
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浏览/下载:62/3
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提交时间:2010/03/08
ION-IMPLANTATION
Chemical composition and elastic strain in AlInGaN quaternary films
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432
Zhou, SQ (Zhou, Shengqiang)
;
Wu, MF (Wu, M. F.)
;
Yao, SD (Yao, S. D.)
;
Liu, JP (Liu, J. P.)
;
Yang, H (Yang, H.)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
Rutherford backscattering spectroscopy
PIXE analysis of Fe content in Fe-implanted GaN film
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2006, 卷号: 252, 期号: 2, 页码: 225-229
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
PIXE
Depth dependent elastic strain in ZnO epilayer: combined Rutherford backscattering/channeling and X-ray diffraction
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2005, 卷号: 229, 期号: 2, 页码: 246-252
Feng ZX
;
Yao SD
;
Hou L
;
Jin RQ
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/17
rutherford backscattering/channeling
Structure and photoluminescence studies of Pr-implanted GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 267, 期号: 3-4, 页码: 400-404
Song SF
;
Chen WD
;
Su FH
;
Zhu JJ
;
Ding K
;
Hsu CC
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浏览/下载:65/22
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提交时间:2010/03/09
doping
Dependence of implantation-induced damage with photoluminescence intensity in GaN : Er
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Song, SF
;
Chen, WD
;
Zhu, JJ
;
Hsu, CC
收藏
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浏览/下载:233/52
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提交时间:2010/03/09
defects
A study of the degree of relaxation of AlGaN epilayers on GaN template
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 289-294
Zhang JC
;
Wu MF
;
Wang JF
;
Liu JP
;
Wang YT
;
Chen J
;
Jin RQ
;
Yang H
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浏览/下载:158/53
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提交时间:2010/03/09
high resolution X-ray diffraction
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