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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：91/41  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  BAND-GAP  FILMS  SAPPHIRE   Study on Raman spectra of GaMnAs 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 207-212 Ma BS; Wang WJ; Su FH; Den JJ; Jiang CP; Liu HL; Ding K; Zhao JH; Li GH 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 GaMnAs  Raman spectrum  coupled plamon-LO-phonon mode  hole density  GAAS  (GA  MOCVD  FILMS  GAN  MN)AS