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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Beam Quality of In-Phase Coherent Coupling 2-D VCSEL Arrays Based on Proton-Implantation 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2014, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 395-397 Mao, MM; Xu, C; Kan, Q; Xie, YY; Xun, M; Xu, K; Liu, JC; Ren, HQ; Chen, HD 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/03/19 High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104 作者:  Li MF;  He JF 收藏  |  浏览/下载：35/3  |  提交时间：2011/07/05 I-N PHOTODIODES   Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038504 Zhu B (Zhu Bin); Han Q (Han Qin); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He JF (He Ji-Fang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wang X (Wang Xin); Wang XP (Wang Xiu-Ping); Wang J (Wang Jie) 收藏  |  浏览/下载：127/5  |  提交时间：2010/04/22 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYERS  DARK CURRENT  PHOTODIODES  LASERS   High-indium-content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with emission wavelengths above 1.25 mu m at room temperature 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5100-5102 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：223/54  |  提交时间：2010/03/09 CRITICAL LAYER THICKNESS