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纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 076104-1-076104-4
作者:  谭小动;  朱建军;  赵德刚;  张书明
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采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2012/07/17
Ge/Si量子点的生长研究进展 期刊论文
半导体光电, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 247-252
时文华; 李传波; 王启明
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