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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [2]
2004 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
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纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 076104-1-076104-4
作者:
谭小动
;
朱建军
;
赵德刚
;
张书明
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2012/07/17
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文
;
贺敬凯
;
李成
;
余金中
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/07/17
Ge/Si量子点的生长研究进展
期刊论文
半导体光电, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 247-252
时文华
;
李传波
;
王启明
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
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