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近代物理研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2021 [7]
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发表日期:2021
专题:近代物理研究所
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Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Design, Application, and Verification of the Novel SEU Tolerant Abacus-Type Layouts
期刊论文
ELECTRONICS, 2021, 卷号: 10, 期号: 23, 页码: 11
作者:
Sun, Yi
;
Li, Zhi
;
He, Ze
;
Chi, Yaqing
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2022/04/11
D flip-flop
double interlocked storage cell
single event upset
Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
Design and verification of multiple SEU mitigated circuits on SRAM-based FPGA system
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 7
作者:
Yu, Jian
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Gao, Shuai
;
Liu, Tianqi
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2022/01/24
Heavy ions
Irradiation
Hardened
Single event upset
Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11
作者:
Wang, Shu
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
He, Ze
;
Huang, Zhiqin
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2021/12/08
SerDes
SRAM-based FPGA
Single Event Upset
Single Event Functional Interrupt
Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6
作者:
Ye, Bing
;
Mo, Li-Hua
;
Zhai, Peng-Fei
;
Cai, Li
;
Liu, Tao
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2021/12/09
Flash memories
Linear energy transfer
Single-event upset
Heavy ions
Geant4
Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Mo, Li-Hua
;
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2021/12/10
neutron
three-dimension ICs
single event upset
multi-bit upset
Geant4
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