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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling   Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect 会议论文 Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Yang ZJ(杨志家);  Zhang ZP(张志鹏) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/08/01