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上海应用物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2020 [1]
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发表日期:2020
专题:上海应用物理研究所
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Ab initio investigation of pressure-induced structural transitions and electronic evolution of Th3N4
期刊论文
HIGH PRESSURE RESEARCH, 2020, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 267-282
作者:
Zhang, Y
;
Guo, YL
;
Liao, ZG
;
Liu, CD
;
Huai, P
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提交时间:2021/09/06
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