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期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2019 [11]
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发表日期:2019
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Pressure effect on the electronic, structural, and vibrational properties of layered 2H-MoTe2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 6
作者:
Zhao, Xiao-Miao
;
Liu, Han-yu
;
Goncharov, Alexander F.
;
Zhao, Zhi-Wei
;
Struzhkin, Viktor V.
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/03/31
Enhanced Mechanical Properties of Na0.02Pb0.98Te/MoTe2 Thermoelectric Composites through in-Situ-Formed MoTe2
期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2019, 卷号: 11, 期号: 44
作者:
Zhu, Ting
;
Xie, Hongyao
;
Zhang, Cheng
;
Cheng, Xin
;
Zhang, Jian
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/05
Nonvolatile MoTe p–n Diodes for Optoelectronic Logics
期刊论文
ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222
作者:
Chenguang Zhu
;
Xingxia Sun
;
Huawei Liu
;
Biyuan Zheng
;
Xingwang Wang
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/13
MoTe2
van der Waals heterostructure
p−n diode
nonvolatile memory
logic optoelectronic device
Charge effects on semiconductor-metal phase transition in mono-layer MoTe2
期刊论文
2019 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2019, 2019
作者:
Wu J.
;
Ma X.
;
Chen J.
;
Jiang X.
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/11
Tunable large-area phase reversion in chemical vapor deposited few-layer MoTe2 films
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: Vol.7 No.34, 页码: 10598-10604
作者:
Zhu, XK
;
Li, AL
;
Wu, D
;
Zhu, P
;
Xiang, HY
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/17
Nonvolatile MoTe2 p-n Diodes for Optoelectronic Logics
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222
作者:
Zhu, CG
;
Sun, XX
;
Liu, HW
;
Zheng, BY
;
Wang, XW
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/17
MoTe2
van der Waals heterostructure
p-n diode
nonvolatile memory
logic optoelectronic device
Transport evidence of asymmetric spin-orbit coupling in few-layer superconducting 1T(d)-MoTe2
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10
作者:
Cui, Jian
;
Li, Peiling
;
Zhou, Jiadong
;
He, Wen-Yu
;
Huang, Xiangwei
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/12/18
CRITICAL-FIELD
MAGNETIC-FIELD
STATE
Intrinsic spin Hall conductivity of the semimetals MoTe2 and WTe2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 99
作者:
Zhou, Jiaqi
;
Qiao, Junfeng
;
Bournel, Arnaud
;
Zhao, Weisheng
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/30
Anisotropy
Calculations
Curve fitting
Fermi level
Spin Hall effect
Ab initio calculations
Crystalline symmetry
Energy shifting
Energy tuning
Intrinsic spin hall conductivities
Spin-orbit coupling effects
Tellurium compounds
Photoinduced Vacancy Ordering and Phase Transition in MoTe2
期刊论文
NANO LETTERS, 2019, 卷号: 19, 页码: 3612-3617
作者:
Si, Chen
;
Choe, Dukhyun
;
Xie, Weiyu
;
Wang, Han
;
Sun, Zhimei
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
Non-equilibrium
excited state
vacancy ordering
phase transition
nucleation and growth
Charge effects on semiconductor-metal phase transition in mono-layer MoTe2
会议论文
24th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2019, June 9, 2019 - June 10, 2019
作者:
Wu, Jixuan
;
Ma, Xiaolei
;
Chen, Jiezhi
;
Jiang, Xiangwei
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
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