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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/12/26 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/12/26 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/12/26 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利 专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16 作者:  刘恒;  王俊;  谭少阳;  荣宇峰;  曾冠澐 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/12/30