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科研机构
湖南大学 [2]
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期刊论文 [2]
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2019 [2]
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Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776
作者:
Hongguan Yang
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提交时间:2019/12/13
Logic
gates
Threshold
voltage
Silicon
MOSFET
Transconductance
Nanoscale
devices
Double-layer
gate
structure
MOS
devices
short-channel
effect
silicon
nanowire
(Si-NW)
threshold
voltage
characteristics
Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776
作者:
Yang, HG
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Double-layer gate structure
MOS devices
short-channel effect
silicon nanowire (Si-NW)
threshold voltage characteristics
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