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新疆理化技术研究所 [6]
西安理工大学 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [7]
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发表日期:2019
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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/06/21
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路
期刊论文
2019, 页码: 17-20
作者:
乔小可
;
杨媛
;
王庆军
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
金属-氧化物半导体场效应晶体管
开关特性
驱动电路
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究
期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:
孙静
;
郭旗
;
郑齐文
;
崔江维
;
何承发
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/01/03
辐照传感器
基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管
剂量计
8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理
期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
作者:
汪波
;
王立恒
;
刘伟鑫
;
孔泽斌
;
李豫东
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/07/01
探测器
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器
重离子辐照
单粒子翻转
损伤机理
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
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