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| 一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法 专利
专利号: 201510290263.5, 申请日期: 2019-12-06,
作者: 王振华; 张志东; 赵晓天; 杨亮; 耿殿禹; 高翾
  收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2021/03/01 |
| sp~2含量与团簇尺寸调控对非晶碳薄膜光电性能的影响 期刊论文
2019, 页码: 1
作者: 李昊; 郭鹏; 张栋; 陈仁德; 左潇
收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2019/12/18 |
| 拓扑绝缘体Bi2Se3的表面态调控及光电性质研究 学位论文
2019
作者: 李名泽
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2021/02/03 |
| 半导体结构以及形成半导体结构的方法 专利
专利号: CN105990391B, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
作者: 蔡劲; E·里欧班端; 李宁 ; 宁德雄; J-O·普卢查特
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 拓扑晶体绝缘体SnTe及其异质结的磁输运性质与拓扑态调控 学位论文
2019
作者: 魏锋
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2021/02/03 |
| 基于夹层结构的长波红外超表面吸收器设计研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 罗奕
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/08/24
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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者: 席善学
收藏 | 浏览/下载：272/0 | 提交时间：2019/07/15
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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 席善学
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/07/15
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| 拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3纳米材料的制备及特性研究 学位论文
2019
作者: 魏凌楠
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2021/02/03 |
| 可堆叠的电隔离二极管激光器条组件 专利
专利号: CN109690888A, 申请日期: 2019-04-26, 公开日期: 2019-04-26
作者: X·P·梁; F·周
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/30 |
