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一种提高半导体激光器可靠性的制备方法 专利
专利号: CN105990790B, 申请日期: 2019-03-22, 公开日期: 2019-03-22
作者:  刘欢;  沈燕;  徐现刚
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一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用 专利
专利号: CN109216183A, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15
作者:  罗玉辉;  程元红;  邝智豪;  黄逸生
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单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法 专利
专利号: CN106785899B, 申请日期: 2019-01-08, 公开日期: 2019-01-08
作者:  朱刚毅;  王永进
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