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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Recent development of wide bandgap semiconductor SiC substrates and device [宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展] 期刊论文 Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams, 2019, 卷号: 31, 期号: 4 作者:  Xiao L.;  Xu X. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Device failure  Photoconductive semiconductor switch  Physical vapor transport method  Power device  Silicon carbide