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新疆理化技术研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [3]
学位论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2019 [6]
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发表日期:2019
专题:新疆理化技术研究所
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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
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浏览/下载:272/0
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提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型
一种具有导电功能的玄武岩纤维浸润剂及制备方法
专利
申请日期: 2019-03-22,
作者:
马鹏程
;
邢丹
;
葸雄宇
;
苗语宸
;
齐明钢
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/08/06
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/06/21
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究
期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:
孙静
;
郭旗
;
郑齐文
;
崔江维
;
何承发
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/01/03
辐照传感器
基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管
剂量计
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
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