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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法 专利 专利号: 201510290263.5, 申请日期: 2019-12-06, 作者:  王振华;  张志东;  赵晓天;  杨亮;  耿殿禹;  高翾 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/03/01 拓扑绝缘体Bi2Se3的表面态调控及光电性质研究 学位论文 2019 作者:  李名泽 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/03 拓扑晶体绝缘体SnTe及其异质结的磁输运性质与拓扑态调控 学位论文 2019 作者:  魏锋 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/03 拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3纳米材料的制备及特性研究 学位论文 2019 作者:  魏凌楠 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/03