QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface properties and bias temperature instability with ternary H-Cl-N mixed plasma post-oxidation annealing in 4H-SiC MOS capacitors 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 488, 页码: 293-302 作者:  Yang, Chao;  Zhang, Fanglong;  Yin, Zhipeng;  Su, Yan;  Qin, Fuwen 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 4H-SiC  MOS capacitor  Interface properties  Bias temperature instability  Electron cyclotron resonance  Post-oxidation annealing   Interfacial traps and mobile ions induced flatband voltage instability in 4H-SiC MOS capacitors under bias temperature stress 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52 作者:  Yang, Chao;  Gu, Zhenghao;  Yin, Zhipeng;  Qin, Fuwen;  Wang, Dejun 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 4H-SiC  MOS capacitor  bias temperature stress  flatband voltage instability  interfacial traps  mobile ions