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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2019    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氧化钆纳米粒子对A549肺癌细胞的辐射增敏效应研究 期刊论文 原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 03, 页码: 373-378 作者:  李翡翡;  李子厚;  金晓东;  吴爱国;  陈卫强 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/18 国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法 期刊论文 航天器环境工程, 2019, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 146-150 作者:  李鹏伟;  吕贺;  张洪伟 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/09 线性电路  低剂量率辐照  辐射损伤增强因子  抗辐射能力   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/06/21 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48 作者:  于新;  荀明珠;  郭旗;  何承发;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/07/29 位移损伤效应  非电离能量损失  CCD  CMOS   高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制 期刊论文 发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 1115-1122 作者:  慎小宝;  李豫东;  玛丽娅·黑尼;  赵晓凡;  莫敏·赛来 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/11/27 InGaAs单结太阳电池  高注量电子  位移损伤  载流子寿命  载流子去除效应   1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 61-67 作者:  王志铭;  周东;  李豫东;  文林;  马林东 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/11/18 HgCdTe  光伏器件  暗电流  电子辐照  辐射效应  位移损伤   γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究 期刊论文 红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199 作者:  王志铭;  周东;  郭旗;  李豫东;  文林 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/11/18 碲镉汞(HgCdTe)光伏器件  红外探测器  辐射效应  γ射线  暗电流