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新疆理化技术研究所 [2]
近代物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2019 [3]
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发表日期:2019
内容类型:期刊论文
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体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/06/21
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
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