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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响 期刊论文 原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1122-1126 作者:  姚帅;  陆妩;  于新;  李小龙;  王信 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/06/21 变温辐照方法  双极电压比较器  电离总剂量  单粒子瞬态  偏置状态  协同效应   基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文 核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03 辐照传感器  基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管  剂量计   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离