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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019    内容类型：期刊论文    专题：北京航空航天大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Numerical and Experimental Investigation of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of 400-V SOI NLDMOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 页码: 710-715 作者:  Shu, Lei;  Wang, Liang;  Zhou, Xin;  Li, Tong-De;  Yuan, Zhang-Yi'an 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 400-V silicon-on-insulator (SOI) n-channel laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (NLDMOSFET)  BVDS variations  laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS)  radiation effects  SOI  technology computer-aided design (TCAD) simulations  total ionizing dose (TID)   Exploiting Spin-Orbit Torque Devices As Reconfigurable Logic for Circuit Obfuscation 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2019, 卷号: 38, 页码: 57-69 作者:  Yang, Jianlei;  Wang, Xueyan;  Zhou, Qiang;  Wang, Zhaohao;  Li, Hai 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 Circuit obfuscation  magnetic tunnel junction  reconfigurable logic  spin-orbit torque (SOT)   深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究 期刊论文 微电子学, 2019, 卷号: 49, 页码: 729-734 作者:  高成;  张芮;  王怡豪;  黄姣英 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 CMOS反相器  单粒子瞬态效应  TCAD仿真  脉冲激光试验   Study of single event transient induced by heavy-ion in NMOS transistor and CMOS inverter 期刊论文 CONCURRENCY AND COMPUTATION-PRACTICE & EXPERIENCE, 2019, 卷号: 31 作者:  Gao, Cheng;  Zhang, Rui;  Huang, Jiaoying;  Fu, Chengcheng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 bipolar amplification  charge collection  single event transient  TCAD simulation