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科研机构
大连理工大学 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2019 [2]
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发表日期:2019
内容类型:期刊论文
专题:大连理工大学
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Interface properties and bias temperature instability with ternary H-Cl-N mixed plasma post-oxidation annealing in 4H-SiC MOS capacitors
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 488, 页码: 293-302
作者:
Yang, Chao
;
Zhang, Fanglong
;
Yin, Zhipeng
;
Su, Yan
;
Qin, Fuwen
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/02
4H-SiC
MOS capacitor
Interface properties
Bias temperature instability
Electron cyclotron resonance
Post-oxidation annealing
Interfacial traps and mobile ions induced flatband voltage instability in 4H-SiC MOS capacitors under bias temperature stress
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52
作者:
Yang, Chao
;
Gu, Zhenghao
;
Yin, Zhipeng
;
Qin, Fuwen
;
Wang, Dejun
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/02
4H-SiC
MOS capacitor
bias temperature stress
flatband voltage instability
interfacial traps
mobile ions
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