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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文 作者:  Li CZ(李诚瞻);  Tang YD(汤益丹);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Yang CY(杨成樾) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/14 Reliability of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Under High Temperature Power Cycling Stress 会议论文 作者:  Tang YD(汤益丹);  Liu XY(刘新宇);  Wang G(王刚);  Luo YF(罗亚非);  Bai Y(白云) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/14 The interface modification for GNWs/Si Schottky junction with PEI/PEIE interlayers 期刊论文 Materials Research Express, 2018, 卷号: 5, 期号: 3 作者:  Zhou,Quan;  Liu,Xiangzhi;  Luo,Wei;  Shen,Jun;  Wang,Yuefeng 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/04/24 Graphene Nanowalls  Schottky Junction  Interface Doping  Passivation