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| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810489471.1, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平 ; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810489472.6, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2018-07-18, 公开日期: 2019-01-11
作者: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平
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| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂AlO高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2019-12-31,
作者: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平
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| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN108588680A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN108588679A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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| Growth Behavior Evolution of Al2O3 Deposited on HOPG by Atomic Layer Deposition HOPG上ALD沉积Al2O3介电薄膜的生长行为研究 期刊论文
Xiyou Jinshu Cailiao Yu Gongcheng/Rare Metal Materials and Engineering, 2018, 卷号: 47, 页码: 64-68
作者: Nie, Xianglong; Ma, Dayan; Ma, Fei; Xu, Kewei
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| 磁控溅射可控沉积MoS_2基复合薄膜及其摩擦学性能研究 学位论文
2018
作者: 高斌基
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 溶胶-凝胶法制备异质外延c轴取向GaN薄膜研究 学位论文
2018
作者: 完彦少君
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 碳纳米结构薄膜界面演变及摩擦磨损性能研究 学位论文
2018
作者: 付宇
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