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| 半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器 专利 专利号: CN108847575A, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20 作者: 井红旗; 王鑫 ; 赵懿昊; 袁庆贺; 刘素平
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| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利 专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04 作者: 卢烁今 ; 赵佳; 朱阳军 ; 陆江 ; 田晓丽![](/image/person.jpg)
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| 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法 专利 专利号: CN102916338B, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02 作者: 周路; 王云华; 薄报学; 高欣; 乔忠良
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| RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺 专利 专利号: CN108649428A, 申请日期: 2018-10-12, 公开日期: 2018-10-12 作者: 曲迪; 白国人; 陈墨; 梁娟; 宋学颍
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| 适合高温工作的高增益垂直腔面发射半导体激光器 专利 专利号: CN105552715B, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2018-07-27 作者: 张建伟; 宁永强; 张建 ; 张星; 贾鹏
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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利 专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18 作者: 彭朝阳; 刘新宇 ; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹![](/image/person.jpg)
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| 一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法 专利 专利号: CN104795730B, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10 作者: 林涛; 张浩卿; 孙航; 郭恩民; 孙锐娟
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| 制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法 专利 专利号: CN104882788B, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2018-03-30 作者: 梁平; 刘峰奇; 张锦川; 闫方亮; 胡颖
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| 一种光刻工艺窗口的测量方法 专利 专利号: CN201610890095.8, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2017-01-11 作者: 韦亚一 ; 张利斌![](/image/person.jpg)
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| 一种半导体器件的制造方法 专利 专利号: CN201410196176.9, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2015-11-25 作者: 李俊峰 ; 刘金彪 ; 赵超 ; 王桂磊![](/image/person.jpg)
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