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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/10/08 Charge sharing  single-event upset (SEU)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Investigation of flux dependent sensitivity on single event effect in memory devices 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 076101 作者:  Liu, Tian-qi;  Xi, Kai;  Hou, Ming-dong;  Sun, You-mei;  Duan, Jing-lai 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/10/08 ion flux  single event effect  GEANT4 simulation  memory device