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| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810489471.1, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平 ; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810489472.6, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2018-07-18, 公开日期: 2019-01-11
作者: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平
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| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂AlO高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2019-12-31,
作者: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平
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| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN108588680A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利号: CN108588679A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
作者: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏
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