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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 IGCT Circuit Model Based on Pspice Modeling Platform 会议论文 2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01 作者:  Song, Yang;  Wang, Cailin;  Yang, Wuhan;  Yang, Jing 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/20 IGCT  SiC power MOSFET model  hard-driven  circuit model  Pspice modeling platfirm   The Security Protection of SiC MOSFET NPC Tri-level Converter 会议论文 2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01 作者:  Wu, Wenjun;  Cai, Yuxi;  Wang, Wenxuan;  Cui, Dongjie 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/20 SiC MOSFET  drain-source voltage  over-current protection  tri-level  voltage balanced  leakage current   Digital Control of Hybrid Full Bridge Three-level LLC Resonant Converter Based on SiC MOSFET 会议论文 2018 IEEE INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS AND APPLICATION CONFERENCE AND EXPOSITION (PEAC), 2018-01-01 作者:  Guo, Ying;  Yang, Zhiqiang;  Yin, Youwei;  Cao, Hui 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20 EV-charger  Gain analysis  three-level converter  LLC Resonant  Digital Control  SiC-MOS