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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法 专利 专利号: CN201310035130.4, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-08-06 作者:  方雯;  罗军;  赵超 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/03/26 一种避撞系统、避撞方法及机动车辆 专利 专利号: CN201610825831.1, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2017-01-11 作者:  陈大鹏;  章军辉;  张佩中;  付宗杰;  王博 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/03/06 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201510580584.9, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-11-25 作者:  叶甜春;  霍宗亮 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/12 测量有机半导体状态密度的方法 专利 专利号: CN201510228253.9, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-07-15 作者:  卢年端;  李泠;  刘明 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/06 测量半导体材料无序度的方法 专利 专利号: CN201510227994.5, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2015-07-22 作者:  卢年端;  李泠;  刘明 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/06