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| 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者: 崔虎山; 项金娟 ; 贺晓彬; 杨涛; 李俊峰
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| 一种砷化镓表面形貌控制方法 专利
专利号: CN201611251389.2, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2017-05-10
作者: 孙兵; 刘洪刚; 王盛凯
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| 形成纳米线阵列的方法 专利
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者: 洪培真; 徐秋霞; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 朱慧珑
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| 一种金属薄膜溅射的PVD工艺 专利
专利号: CN201510375208.6, 申请日期: 2018-12-04, 公开日期: 2017-01-11
作者: 高建峰; 唐兆云; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 一种滤波器及其形成方法 专利
专利号: CN201410213861.8, 申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2015-11-25
作者: 阎跃鹏; 牟鹏飞; 万晶
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| 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者: 彭松昂; 金智; 王少青; 毛达诚; 史敬元
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者: 秦长亮; 王桂磊; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘
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