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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Magnetic Field Modulated Weak Localization and Antilocalization State in Bi-2(TexSe1-x)(3) Films 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 8 作者:  Wang, Zhenhua;  Wei, Lingnan;  Li, Mingze;  Zhang, Zhidong;  Gao, Xuan P. A. 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2021/02/02 Bi2Se3  localization  magnetic-transport properties  Te-doped films  weak antilocalization   Magnetic Field Modulated Weak Localization and Antilocalization State in Bi-2(TexSe1-x)(3) Films 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 8 作者:  Wang, Zhenhua;  Wei, Lingnan;  Li, Mingze;  Zhang, Zhidong;  Gao, Xuan P. A. 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2021/02/02 Bi2Se3  localization  magnetic-transport properties  Te-doped films  weak antilocalization   Magnetic Field Modulated Weak Localization and Antilocalization State in Bi-2(TexSe1-x)(3) Films 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 8 作者:  Wang, Zhenhua;  Wei, Lingnan;  Li, Mingze;  Zhang, Zhidong;  Gao, Xuan P. A. 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/02/02 Bi2Se3  localization  magnetic-transport properties  Te-doped films  weak antilocalization   Transport properties of doped Bi2Se3 and Bi2Te3 topological insulators and heterostructures 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: - 作者:  Wang, ZH;  Gao, XPA;  Zhang, ZD 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/12/25 transport properties  interfaces  heterostructures  nanostructures  doping  magnetoresistance   Transport properties of doped Bi2Se3 and Bi2Te3 topological insulators and heterostructures 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 9 作者:  Wang, Zhen-Hua;  Gao, Xuan P. A.;  Zhang, Zhi-Dong 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/02/02 transport properties  interfaces  heterostructures  nanostructures  doping  magnetoresistance   Electric-field control of magnetism in a few-layered van der Waals ferromagnetic semiconductor 期刊论文 NATURE NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 554-+ 作者:  Wang, Z;  Zhang, TY;  Ding, M;  Dong, BJ;  Li, YX 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/12/25 Chromium- induced ferromagnetism with perpendicular anisotropy in topological crystalline insulator SnTe (111) thin films 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: - 作者:  Wang, F;  Zhang, HR;  Jiang, J;  Zhao, YF;  Yu, J 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/06/05 Realization  State  Semiconductor  Epitaxy