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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 TCAD Simulation for nonresonant terahertz detector based on double-channel GaN/AlGaN high-electron-mobility transistor 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 页码: 4807-4813 作者:  Meng, Qingzhi;  Lin, Qijing;  Jing, Weixuan;  Han, Feng;  Zhao, Man 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/11/19 Computational model  Double channel  High electron mobility transistor (HEMT)  Noise equivalent power  Nonresonant  Photoresponses  Responsivity  Terahertz detectors