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科研机构
西安交通大学 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2018 [5]
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共5条,第1-5条
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发表日期:2018
专题:西安交通大学
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Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs compared with Si IGBTs for Wide Temperature Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2018
作者:
Qi, Jinwei
;
Yang, Xu
;
Li, Xin
;
Tian, Kai
;
Mao, Zhangsong
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/19
Cryogenic temperatures
Dynamic resistance
High-efficiency power conversions
High-frequency applications
Power conversion systems
SiC MOSFET
Switching characterization
Temperature applications
Characterization of 1.2 kV 4H-SiC power MOSFETs and Si IGBTs at cryogenic and high temperatures
会议论文
作者:
Tian, Kai
;
Qi, Jinwei
;
Mao, Zhangsong
;
Yang, Song
;
Song, Wenjie
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/19
Cryogenic temperatures
High temperature
Interface traps
Switching characteristics
Switching performance
Transfer characteristics
Trench mosfets
Wide temperature ranges
Thermal distribution and cooling performance of cryogenic target under stable and fluctuating cooling conditions
期刊论文
FUSION ENGINEERING AND DESIGN, 2018, 卷号: 127, 页码: 23-33
作者:
Li, Cui
;
Chen, Pengwei
;
Zhao, Jun
;
Li, Yanzhong
;
Luo, Huaihua
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/19
Temperature uniformity
Fluctuation
Convection
Filling gas
Cryogenic target
Recent developments in piezoelectric crystals
期刊论文
Journal of the Korean Ceramic Society, 2018, 卷号: 55, 页码: 419-439
作者:
Zhang, Shujun
;
Li, Fei
;
Yu, Fapeng
;
Jiang, Xiaoning
;
Lee, Ho-Yong
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/11/26
Cryogenic temperatures
Electrical equipment
Ferroelectric crystal
Piezoelectric
Piezoelectric crystals
Temperature range
Temperature-dependent properties
Ultrahigh temperature
Dynamic Performance of 4H-SiC Power MOSFETs and Si IGBTs over Wide Temperature Range
会议论文
作者:
Qi, Jinwei
;
Tian, Kai
;
Mao, Zhangsong
;
Yang, Song
;
Song, Wenjie
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/26
MOSFETs
dynamic on-resistance
silicon carbide (SiC)
cryogenic temperature
switching transient
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