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科研机构
兰州理工大学 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2018 [3]
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发表日期:2018
专题:兰州理工大学
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High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang YM(杨育梅)
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提交时间:2020/11/13
Ballistics
Dielectric materials
Drain current
Gate dielectrics
MOSFET devices
Poisson equation
Shims
Direct current performance
High- k
junctionless
Junctionless transistors
Non-equilibrium green functions
Nonequilibrium green function formalisms
Quantum simulators
Subthreshold characteristics
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang, Yumei
;
Lou, Haijun
;
Lin, Xinnan
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提交时间:2019/11/15
High-k spacer
junctionless
nonequilibrium Green function (NEGF)
quantum simulator
Birnbaum importance measure of network based on C-spectrum under saturated poisson distributionv
会议论文
singapore, December 10, 2017 - December 13, 2017;
作者:
Du YJ(杜永军)
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提交时间:2020/11/14
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