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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of 1.2 kV 4H-SiC power MOSFETs and Si IGBTs at cryogenic and high temperatures 会议论文 作者:  Tian, Kai;  Qi, Jinwei;  Mao, Zhangsong;  Yang, Song;  Song, Wenjie 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/19 Cryogenic temperatures  High temperature  Interface traps  Switching characteristics  Switching performance  Transfer characteristics  Trench mosfets  Wide temperature ranges   Dynamic Performance of 4H-SiC Power MOSFETs and Si IGBTs over Wide Temperature Range 会议论文 作者:  Qi, Jinwei;  Tian, Kai;  Mao, Zhangsong;  Yang, Song;  Song, Wenjie 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 MOSFETs  dynamic on-resistance  silicon carbide (SiC)  cryogenic temperature  switching transient   Research on Electrical Characteristics of CMOS Device at Cryogenic Temperature 会议论文 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON RELIABILITY, MAINTAINABILITY, AND SAFETY (ICRMS 2018), 2018-01-01 作者:  Leng, Hongyan;  Fu, Guicui;  Jiang, Maogong;  Wan, Bo;  Zhang, Zhongqing 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 CMOS device  cryogenic temperature  electrical characteristics  modeling  experiment