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| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利号: CN201810489471.1, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 作者: 朱香平 ; 邹永星; 赵卫 ; 郭海涛 ; 陆敏![](/image/person.jpg)
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| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利号: CN201810489472.6, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 作者: 朱香平 ; 邹永星; 赵卫 ; 郭海涛 ; 陆敏![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2018/12/29 |
| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2018-07-18, 公开日期: 2019-01-11 作者: 郭俊江; 彭波 ; 郭海涛 ; 许彦涛 ; 朱香平![](/image/person.jpg)
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| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂AlO高阻薄膜的方法 专利 专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2019-12-31, 作者: 郭俊江; 彭波 ; 郭海涛 ; 许彦涛 ; 朱香平![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/09/05 |
| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利号: CN108588680A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 作者: 朱香平 ; 邹永星; 赵卫 ; 郭海涛 ; 陆敏![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2019/08/27 |
| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利号: CN108588679A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 作者: 朱香平 ; 邹永星; 赵卫 ; 郭海涛 ; 陆敏![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/08/30 |