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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of In Situ SiN as Gate Dielectric and Surface Passivation for GaN MISHEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 832-839 作者:  Jiang, Huaxing;  Liu, Chao;  Chen, Yuying;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/26 thermal stability  passivation  GaN  threshold voltage  in situ SiN  gate dielectric