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西安交通大学 [1]
长春光学精密机械与物... [1]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2017 [2]
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发表日期:2017
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Effects of Post Annealing Treatments on the Interfacial Chemical Properties and Band Alignment of AlN/Si Structure Prepared by Atomic Layer Deposition
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12
作者:
Sun, L.
;
H. L. Lu
;
H. Y. Chen
;
T. Wang
;
X. M. Ji
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提交时间:2018/06/13
Atomic Layer Deposition of HfO2 Gate Dielectric with Surface Treatments and Post-metallization Annealing for Germanium MOSFETs
会议论文
作者:
Liu, Qifeng
;
Lam, Sang
;
Mu, Yifei
;
Zhao, Ce Zhou
;
Zhao, Yinchao
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
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