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A carbon nanotube non-volatile memory device using a photoresist gate dielectric 期刊论文
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 2017, 卷号: 124, 页码: 700-707
作者:  Sun, Yun;  Wang, Bing-Wei;  Hou, Peng-Xiang;  Liu, Chang;  Fang, Lin-Lin
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/01/10
一种基于硬件冗余的安全仪表高可靠性存储与诊断方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN107305793A, 申请日期: 2017-10-31,
作者:  于海斌;  曾鹏;  徐皑冬;  王锴;  胡波
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/11/28
Chiral phase transition at 180 degrees domain walls in ferroelectric PbTiO3 driven by epitaxial compressive strains 期刊论文
AMER INST PHYSICS, 2017, 卷号: 122, 期号: 13, 页码: -
作者:  Wang, Yu-Jia;  Zhu, Yin-Lian;  Ma, Xiu-Liang;  Ma, XL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang Natl Lab Mat Sci, Wenhua Rd 72, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.;  Ma, XL (reprint author), Lanzhou Univ Technol, Sch Mat Sci & Engn, Langongping Rd 287, Lanzhou 730050, Gansu, Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/01/10
Chiral phase transition at 180° domain walls in ferroelectric PbTiO3 driven by epitaxial compressive strains 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 122, 期号: 13
作者:  Wang, Yu-Jia;  Zhu, Yin-Lian;  Ma, Xiu-Liang
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/14
Flexible nonvolatile resistive memory devices based on SrTiO3 nanosheets and polyvinylpyrrolidone composites 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 5, 期号: 37, 页码: 9799-9805
作者:  Chen, Guilin;  Zhang, Peng;  Pan, Lulu;  Qi, Lin;  Yu, Fucheng
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/15
Chiral phase transition at 180 degrees domain walls in ferroelectric PbTiO3 driven by epitaxial compressive strains 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 122, 期号: 13
作者:  Wang, Yu-Jia;  Zhu, Yin-Lian;  Ma, Xiu-Liang
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/11/15
一种对磁多畴态进行调控的方法 专利
专利号: US9779836, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2015-09-17
作者:  毕冲;  龙世兵;  刘明
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A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文
作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/08/20
Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices 会议论文
作者:  Xi, Kai;  Luo, Jie;  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Hou, Mingdong
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